Hersteller Produktnummer:
TSM1NB60CW RPG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM1NB60CW RPG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
9590 Stück Neu Original Auf Lager
12894919
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TSM1NB60CW RPG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
138 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
TSM1NB60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM1NB60CWRPGDKR
TSM1NB60CWRPGCT
TSM1NB60CWRPGTR
TSM1NB60CW RPGDKR-DG
TSM1NB60CW RPGTR-DG
TSM1NB60CW RPGCT-DG
TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGCT
TSM1NB60CW RPGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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